新乡万合分析仪器有限公司
网站首页 | 联系方式 | 网站地图 | 手机站
产品目录
联系方式

联系人:业务部
电话:0373-5686320
邮箱:service@hongjireneng.com

当前位置:首页 >> 新闻中心 >> 正文

SanDisk与东芝合力扩建Fab 5

编辑:新乡万合分析仪器有限公司  字号:
摘要:SanDisk与东芝合力扩建Fab 5
SanDisk于日前表示,正与东芝(Toshiba)合力扩建位于日本三重县四日市的五号半导体制造工厂(Fab 5)第二期工程,并共同展开3D NAND记忆体技术的研发,为2D NAND Flash记忆体制程将于10奈米(nm)节点面临微缩瓶颈,预做准备。

SanDisk亚太区副总裁吴家荣表示,SanDisk确实已与东芝于合资的五号半导体厂投入3D NAND记忆体技术研发,积极卡位市场先机。

SanDisk亚太区副总裁吴家荣表示,随着智慧型手机、平板装置及超轻薄笔电(Ultrabook)配备NAND Flash和固态硬碟(SSD)比重不断攀升,NAND Flash记忆体市场将持续供不应求,因而吸引各NAND Flash供应商纷纷投入扩产,以纾解供货紧缩的问题。

吴家荣进一步指出,该公司与东芝合资的五号半导体制造工厂,即将启动第二期扩产计划,将持续采用最先进的19奈米制程技术,预定于2014年下半年正式投产;此外,SanDisk亦将藉由该工厂进行3D NAND技术的研发。

据了解,五号半导体制造工厂第二期扩产工程,一方面将导入19奈米制程投产2D NAND Flash记忆体;另一方面则采用BiCS(Bit Cost Scalable)技术试量产3D NAND记忆体,该技术标榜具备高性能、低成本且架构可扩充性的优势,已于先前由东芝率先发表,而SanDisk已规画采用该项技术,生产3D NAND快闪记忆体产品,并预计于2016年投产首款3D NAND记忆体。

针对SanDisk是否会选用3D NAND记忆体技术发展10奈米以下的制程,吴家荣说明,该公司目前无法对外说明3D NAND记忆体技术的制程规画蓝图,但可预见的是,相较于过去每一代NAND Flash制程节点差距动辄10奈米以上,进入19奈米以后,制程微缩的节点间隔将明显缩小。

显而易见,2D NAND记忆体技术即将面临发展瓶颈,而3D NAND记忆体将成为提高NAND Flash密度和降低成本的必然途径,也因此,除东芝和SanDisk之外,三星(Samsung)、海力士(Hynix)及IM Flash Technologies亦已投入3D NAND记忆体技术布局。其中,三星预定于2014年量产3D NAND记忆体。
上一条:单晶硅和多晶硅的区别 下一条:工业上常用的继电器的功能